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FFPF30UP20S — Ultrafast Diode
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FFPF30UP20S Rev. C1
www.fairchildsemi.com
2
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width=300?s, Duty Cycle?2%
Test Circuit and Waveforms
Symbol Parameter Min. Typ. Max. Unit
VF *
IF
= 30 A
IF
= 30 A
TC
= 25
?C
TC
= 100
?C
-
-
-
-
1.15
1.0
V
V
IR *
VR
= 200 V
VR
= 200 V
TC
= 25
??C
TC
= 100
?C
-
-
-
-
100
500
?A
?A
trr
IF
=1 A, di
F/dt = 100 A/?s, VR = 30 V
IF
=30 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR = 130 V
TC
= 25
?C
TC
= 25
?C
-
-
-
-
40
50
ns
ns
ta
tb
Qrr
IF
=30 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR = 130 V TC
= 25
?C
TC
= 25
?C
TC
= 25
??C
-
-
-
22
14
67
-
-
-
ns
ns
nC
WAVL
Avalanche Energy (L = 40 mH) 20 - - mJ
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
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